1. ويمكن أن يتم ذلك من الحد من المغنيسيوم من رباعي كلوريد الهافنيوم أو التحلل الحراري لرابع كلوريد الهافنيوم. HFCl4 و K2HFF6 يمكن أيضا أن تستخدم كمادة خام. في NaCl-KCl-HFCl4 أو K2HFF6 تذوب إعداد المنحل بالكهرباء، وهذه العملية مماثلة لإعداد المنحل بالكهرباء الزركونيوم.
2. هافنيوم والزركونيوم تتعايش، لا توجد مادة خام هافنيوم منفصلة. المادة الخام من الهافنيوم هو أكسيد الحفنيوم الخشنة فصلها عن عملية تصنيع الزركونيوم. ويتم استخراج أكسيد الهافنيوم عن طريق راتنج تبادل الأيونات ويتم إنتاج الهافنيوم المعدني في وقت لاحق من أكسيد الهافنيوم هذا بنفس الطريقة التي ينتج بها الزركونيوم.
3. ويمكن إعداده عن طريق الحد من رباعي كلوريد الهافنيوم (HfCl4) والصوديوم عن طريق التدفئة المشتركة.
4. طرق الفصل المبكرة من الزركونيوم والهافنيوم هي تبلور مجزأة من الأملاح المعقدة الفلورية وهطول الأمطار مجزأة من الفوسفات. وهذه الأساليب مرهقة للعمل وتقتصر على الاستخدام المختبري. وقد ظهرت تقنيات جديدة لفصل الزركونيوم والهافنيوم، مثل التقطير الجزئي، واستخراج المذيبات، وتبادل الأيونات، وامتصاص الكسور، واحدا تلو الآخر، من بينها استخراج المذيبات له قيمة عملية أكثر. نظامان للفصل شائع الاستخدام هما نظام ثيوسياناتي-إيزوهيكسانون وفوسفات تريبوتيل - نظام حمض النيتريك. جميع المنتجات التي تم الحصول عليها من قبل الأساليب المذكورة أعلاه هي هيدروكسيد هافنيوم. يمكن الحصول على أكسيد الهافنيوم النقي عن طريق التكلس. ويمكن الحصول على hafnium عالية النقاء عن طريق تبادل الأيونات.
